KIT DDR3 DE 240 PINES SIN BÚFER Y SIN CC EDGE DE 8 GB (2 X 4 GB) PC38500

El KIT DDR3 EDGE 8GB (2X4GB) PC38500 NONECC UNBUFFERED 240 PIN es la opción ideal para cualquiera que busque mejorar el rendimiento de su computadora. Ya sea un usuario ocasional, un jugador o un profesional que busca capacidades multitarea superiores, este kit de memoria de alta calidad de EDGE Memory está diseñado para brindar velocidad, confiabilidad y eficiencia. Con más de tres décadas de experiencia en la industria, EDGE Memory garantiza un producto que cumple con los más altos estándares de calidad y rendimiento.

• Rendimiento óptimo: el kit de memoria DDR3 EDGE de 8 GB está diseñado para mejorar significativamente el rendimiento de su sistema. Su interfaz DDR3 SDRAM permite una transferencia de datos eficiente, lo que reduce el tiempo de inactividad del procesador y mejora la capacidad de respuesta general de su computadora.
• Alta capacidad: este kit proporciona un total de 8 GB (2 módulos de 4 GB), lo que garantiza una amplia memoria para aplicaciones exigentes y multitareas sin sacrificar la velocidad o el rendimiento del sistema.
• Configuración de 240 pines: el diseño de 240 pines de este kit de RAM DDR3 mejora la confiabilidad y el rendimiento seguro, lo que lo convierte en una excelente opción tanto para actualizaciones de escritorio como para compilaciones personalizadas.
• Procesamiento de señal sin búfer: con su procesamiento de señal sin búfer, este kit de memoria aumenta la precisión y el rendimiento, garantizando que su computadora funcione de manera fluida y eficiente bajo cargas pesadas.
• Garantía de calidad: Fabricados en unas instalaciones de última generación con certificación ISO-9001:2008, los productos EDGE Memory vienen con una garantía superior y una garantía de calidad, lo que proporciona tranquilidad en cada compra.

Detalles técnicos del producto

• Tipo de memoria: DDR3 SDRAM
• Capacidad: 8 GB (2 x 4 GB)
• Velocidad de memoria: PC38500
• Factor de forma: DIMM de 240 pines
• ECC: NO CC
• Con búfer: Sin búfer

Cómo instalar

La instalación del kit de memoria DDR3 EDGE de 8 GB es un proceso sencillo. Siga estos pasos para realizar una instalación exitosa:

1. Apague su computadora y desconéctela de la pared.
2. Abra la carcasa de la computadora quitando los tornillos o utilizando el mecanismo de pestillo, según el diseño de la carcasa.
3. Ubica las ranuras de RAM en la placa base. Si hay RAM, suelta con cuidado los clips de ambos lados para quitarla.
4. Alinee la muesca del módulo de memoria EDGE con la ranura de RAM e inserte el módulo en un ángulo de 30 grados.
5. Presione con firmeza hasta que el módulo encaje en su lugar y los clips vuelvan a encajar en su posición. Repita el proceso para el segundo módulo, si corresponde.
6. Cierre la carcasa de la computadora, vuelva a enchufarla y enciéndala. Verifique las propiedades del sistema para asegurarse de que la RAM se haya reconocido correctamente.

Preguntas frecuentes

1. ¿Esta memoria es compatible con mi placa base? La compatibilidad depende de las especificaciones de la placa base. Asegúrate de que la placa base admita RAM DDR3 y tenga ranuras DIMM de 240 pines disponibles.
2. ¿Cuál es la diferencia entre la RAM con y sin búfer? La RAM con y sin búfer es más rápida y se utiliza normalmente en PC de consumo, mientras que la RAM con búfer se utiliza en servidores para lograr una mejor estabilidad y fiabilidad.
3. ¿Puedo combinar distintas marcas de RAM en mi sistema? Si bien es posible combinar RAM de distintas marcas, se recomienda utilizar pares combinados para lograr un rendimiento y una estabilidad óptimos.
4. ¿Qué sucede si instalo la RAM de forma incorrecta? Si la RAM se instala de forma incorrecta, es posible que la computadora no arranque o que aparezcan mensajes de error durante el inicio. Verifique la instalación para asegurarse de que la ubicación sea correcta.
5. ¿Este kit de memoria mejorará el rendimiento de los juegos? Sí, actualizar al kit de memoria DDR3 EDGE de 8 GB puede mejorar el rendimiento de los juegos al permitir una experiencia de juego más fluida y tiempos de carga más rápidos, especialmente en aplicaciones que hacen un uso intensivo de la memoria.